Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS
Vileta Incausa, José Carlos
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Data: 2011
Descripció: 89 p.
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Llengua: Castellà
Col·lecció: Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica
Document: Treball final de grau
Matèria: Metall òxid semiconductors complementaris ; Fiabilitat



Projecte
89 p, 1.1 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > Enginyeria. TFM

 Registre creat el 2012-08-31, darrera modificació el 2024-05-25



   Favorit i Compartir