visitante ::
identificación
|
|||||||||||||||
Buscar | Enviar | Ayuda | Servicio de Bibliotecas | Sobre el DDD | Català English Español |
Página principal > Documentos de investigación > Trabajos de investigación y proyectos de final de carrera > Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS |
Fecha: | 2011 |
Descripción: | 89 p. |
Derechos: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. |
Lengua: | Castellà |
Colección: | Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica |
Documento: | Treball final de grau |
Materia: | Metall òxid semiconductors complementaris ; Fiabilitat |
Projecte 89 p, 1.1 MB |