Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS
Vileta Incausa, José Carlos
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Date: 2011
Description: 89 p.
Rights: L'accés als continguts d'aquest document queda condicionat a l'acceptació de les condicions d'ús establertes per la següent llicència Creative Commons: Creative Commons
Language: Castellà.
Series: Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica
Document: bachelorThesis
Subject: Metall òxid semiconductors complementaris ; Fiabilitat

Adreça alternativa: https://hdl.handle.net/2072/198727


Projecte
89 p, 1.1 MB

The record appears in these collections:
Research literature > Dissertations

 Record created 2012-08-31, last modified 2019-02-02



   Favorit i Compartir