Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS
Vileta Incausa, José Carlos
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Fecha: 2011
Descripción: 89 p.
Derechos: L'accés als continguts d'aquest document queda condicionat a l'acceptació de les condicions d'ús establertes per la següent llicència Creative Commons: Creative Commons
Lengua: Castellà.
Colección: Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica
Documento: bachelorThesis
Materia: Metall òxid semiconductors complementaris ; Fiabilitat

Adreça alternativa: https://hdl.handle.net/2072/198727


Projecte
89 p, 1.1 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Trabajos de investigación y proyectos de final de carrera

 Registro creado el 2012-08-31, última modificación el 2019-02-02



   Favorit i Compartir