Home > Articles > Search Results: Valenzuela, Sergio O.

Articles

  Search Tips
Advanced Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
Articles 34 records found  beginprevious25 - 34  jump to record: Search took 0.00 seconds. 
25.
18 p, 1.4 MB Strongly anisotropic spin relaxation in graphene-transition metal dichalcogenide heterostructures at room temperature / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
A large enhancement in the spin-orbit coupling of graphene has been predicted when interfacing it with semiconducting transition metal dichalcogenides. Signatures of such an enhancement have been reported, but the nature of the spin relaxation in these systems remains unknown. [...]
2018 - 10.1038/s41567-017-0019-2
Nature Physics, Vol. 14, Issue 3 (March 2018) , p. 303-308  
Detailed record -
26.
11 p, 967.1 KB Bottom-up synthesis of multifunctional nanoporous graphene / Moreno, Cesar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vilas Varela, Manuel (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Orgánica) ; Kretz, Bernhard (Donostia International Physics Center) ; Garcia-Lekue, Aran (Basque Foundation for Science) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Paradinas Aranjuelo, Marcos (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Panighel, Mirco (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ceballos, Gustavo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Peña, Diego (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Orgánica) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Nanosize pores can turn semimetallic graphene into a semiconductor and, from being impermeable, into the most efficient molecular-sieve membrane. However, scaling the pores down to the nanometer, while fulfilling the tight structural constraints imposed by applications, represents an enormous challenge for present top-down strategies. [...]
2018 - 10.1126/science.aar2009
Science, Vol. 360, Issue 6385 (April 2018) , p. 199-203  
Detailed record -
27.
7 p, 628.4 KB Determination of the spin-lifetime anisotropy in graphene using oblique spin precession / Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Scheerder, Jeroen E. (KU Leuven. Department of Physics and Astronomy) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cuppens, Jo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Van De Vondel, Joris (KU Leuven. Department of Physics and Astronomy) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We determine the spin-lifetime anisotropy of spin-polarized carriers in graphene. In contrast to prior approaches, our method does not require large out-of-plane magnetic fields and thus it is reliable for both low-and high-carrier densities. [...]
2016 - 10.1038/ncomms11444
Nature communications, Vol. 7 (May 2016) , art. 11444  
Detailed record - Creative Commons
28.
34 p, 5.3 MB The 2017 Magnetism Roadmap / Sander, D. (Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany)) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Makarov, D. (Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf (Germany)) ; Marrows, C. H. (University of Leeds. School of Physics and Astronomy (United Kingdom)) ; Fullerton, E. E. (University of California. Center for Memory and Recording Research (EUA)) ; Fischer, P. (University of California. Physics Department (EUA)) ; McCord, J. (Kiel University. Institute for Materials Science (Germany)) ; Vavassori, Paolo (IKERBASQUE. Basque Foundation for Science (España)) ; Mangin, S. (Université de Lorraine. Institut Jean Lamour (France)) ; Pirro, Philipp (Technische Universität Kaiserslautern. Fachbereich Physik and Landesforschungszentrum (Germany)) ; Hillebrands, Burkard (Technische Universität Kaiserslautern. Fachbereich Physik and Landesforschungszentrum (Germany)) ; Kent, A. D. (New York University. Department of Physics (EUA)) ; Jungwirth, Tomas (Czech Academy of Sciences. Institute of Physics) ; Gutfleisch, O. (TU Darmstadt. Material Science (Germany)) ; Kim, C. G. (DGIST. Department of Emerging Materials Science (Republic of Korea)) ; Berger, Andreas (CIC NanoGUNE (España))
Building upon the success and relevance of the 2014 Magnetism Roadmap, this 2017 Magnetism Roadmap edition follows a similar general layout, even if its focus is naturally shifted, and a different group of experts and, thus, viewpoints are being collected and presented. [...]
2017 - 10.1088/1361-6463/aa81a1
Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 50, Issue 36 (September 2017) , art. 363001  
Detailed record - Creative Commons
29.
7 p, 2.3 MB Spin hall effect and origins of nonlocal Resistance in adatom-decorated graphene / Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marmolejo Tejada, J. M. (University of Delaware. Department of Physics and Astronomy) ; Waintal, Xavier (Université Grenoble Alpes) ; Nikolić, B. K. (University of Delaware. Department of Physics and Astronomy) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Recent experiments reporting an unexpectedly large spin Hall effect (SHE) in graphene decorated with adatoms have raised a fierce controversy. We apply numerically exact Kubo and Landauer-Büttiker formulas to realistic models of gold-decorated disordered graphene (including adatom clustering) to obtain the spin Hall conductivity and spin Hall angle, as well as the nonlocal resistance as a quantity accessible to experiments. [...]
2016 - 10.1103/PhysRevLett.117.176602
Physical review letters, Vol. 117, issue 17 (Oct. 2016) , p. 176602  
Detailed record -
30.
26 p, 1.8 MB Growth of Twin-Free and Low-Doped Topological Insulators on BaF2(111) / Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; González Cuxart, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Song, Kenan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona
We demonstrate the growth of twin-free BiTe and SbTe topological insulators by molecular beam epitaxy and a sizable reduction of the twin density in BiSe on lattice-matched BaF(111) substrates. Using X-ray diffraction, electron diffraction and atomic force microscopy, we systematically investigate the parameters influencing the formation of twin domains and the morphology of the films, and show that Se- and Te-based alloys differ by their growth mechanism. [...]
2017 - 10.1021/acs.cgd.7b00525
Crystal Growth and Design, Vol. 17, Núm. 9 (September 2017) , p. 4655-4660  
Detailed record -
31.
6 p, 708.7 KB Impact of the in situ rise in hydrogen partial pressure on graphene shape evolution during CVD growth of graphene / Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Growth to etching transformation following in situ rise in hydrogen with time results in dendritic graphene. Exposing graphene to a hydrogen post-etching process yields dendritic graphene shapes. Here, we demonstrate that similar dendritic structures can be achieved at long growth times without adding hydrogen externally. [...]
2018 - 10.1039/c7ra13169k
RSC advances, Vol. 8, issue 15 (2018) , p. 8234-8239  
Detailed record - Creative Commons
32.
15 p, 378.5 KB Pseudospin-driven spin relaxation mechanism in graphene / Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ortmann, Frank (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Soriano, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
The prospect of transporting spin information over long distances in graphene, possible because of its small intrinsic spin-orbit coupling (SOC) and vanishing hyperfine interaction, has stimulated intense research exploring spintronics applications. [...]
2014 - 10.1038/nphys3083
Nature Physics, Vol. 10, Núm. 11 (September 2014) , p. 857-863  
Detailed record -
33.
2 p, 34.1 KB Observen un fenomen magnètic amb possibles aplicacions en computació / Valenzuela, Sergio O. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia
En un article publicat en l'última edició de Nature Materials, científics de l'Institut Català de Nanotecnologia (ICN) dirigits per l'investigador ICREA i professor de la UAB Sergio O. Valenzuela, confirmen l'observació d'un elusiu fenomen físic, l'anomenat arrossegament de magnons. [...]
2011
UAB divulga, desembre 2011, p. 1-2
2 documents
Detailed record - Creative Commons
34.
2 p, 141.9 KB Un gran pas cap als ordinadors amb alta capacitat d'emmagatzematge / Valenzuela, Sergio O (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Un grup d'investigadors del Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia, CIN2 (ICN-CSIC), ubicat al Parc de Recerca UAB, han realitzat un important avenç en el camp de l'espintrònica, una tecnologia emergent que posseeix un enorme potencial en el camp de l'electrònica i l'emmagatzematge i transmissió de dades.
Un grupo de investigadores del Centro de Investigación en Nanociencia y Nanotecnología, CIN2 (ICN-CSIC), ubicado en el Parc de Recerca UAB, ha realizado un importante avance en el campo de la espintrónica, una tecnología emergente que posee un enorme potencial en el campo de la electrónica y en el almacenamiento y transmisión de datos.
2011
UAB divulga, Gener 2011, p. 1-2
2 documents
Detailed record - Creative Commons

Articles : 34 records found   beginprevious25 - 34  jump to record:
See also: similar author names
2 Valenzuela, S. O.
2 Valenzuela, Santiago
1 Valenzuela, Sergio O
3 Valenzuela, Sergio O,
3 Valenzuela, Sergio O.,
1 Valenzuela, Siscu
1 Valenzuela, SÍlvia
1 Valenzuela, Sílvia
Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.
UAB Digital Repository of Documents :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.6
Maintained by ddd.bib@uab.cat  :: Metadata license:
Working with