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1.
8 p, 3.0 MB Artificial Graphene Spin Polarized Electrode for Magnetic Tunnel Junctions / Zatko, Victor (Université Paris-Saclay) ; Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Galbiati, Marta (Université Paris-Saclay) ; Peiro, Julian (Université Paris-Saclay) ; Godel, Florian (Université Paris-Saclay) ; Kern, Lisa-Marie (Université Paris-Saclay) ; Perconte, David (Université Paris-Saclay) ; Ibrahim, Fatima (Université Grenoble Alpes) ; Hallal, Ali (Université Grenoble Alpes) ; Chshiev, Mairbek (Institut Universitaire de France) ; Martínez, Benjamín (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Balcells Argemí, Lluís (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Kidambi, Piran R. (Vanderbilt University) ; Robertson, John (University of Cambridge) ; Hofmann, Stephan (University of Cambridge) ; Collin, Sophie (Université Paris-Saclay) ; Petroff, Frédéric (Université Paris-Saclay) ; Martin, Marie-Blandine (Université Paris-Saclay) ; Dlubak, Bruno (Université Paris-Saclay) ; Seneor, Pierre (Université Paris-Saclay)
2D materials offer the ability to expose their electronic structure to manipulations by a proximity effect. This could be harnessed to craft properties of 2D interfaces and van der Waals heterostructures in devices and quantum materials. [...]
2023 - 10.1021/acs.nanolett.2c03113
Nano letters, Vol. 23, Issue 1 (January 2023) , p. 34-41  
Registre complet - Creative Commons
2.
39 p, 1.5 MB Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories / Yang, Hyunsoo (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chshiev, Mairbek (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Couet, Sébastien (Imec) ; Dieny, Bernard (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Dlubak, Bruno (Unité Mixte de Physique. CNRS. Thales. Université Paris-Saclay) ; Fert, Albert (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Garello, Kevin (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jamet, Matthieu (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jeong, Dae-Eun (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Kangho (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Taeyoung (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.) ; Martin, Marie-Blandine (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Kar, Gouri Sankar (Imec) ; Sénéor, Pierre (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Shin, Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Non-volatile magnetic random-access memories (MRAMs), such as spin-transfer torque MRAM and next-generation spin-orbit torque MRAM, are emerging as key to enabling low-power technologies, which are expected to spread over large markets from embedded memories to the Internet of Things. [...]
2022 - 10.1038/s41586-022-04768-0
Nature, Vol. 606, issue 7915 (June 2022) , p. 663-673  
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