Página principal > Resultados de la búsqueda: CMOS technology
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 3 registros encontrados en 0.03 segundos.
Artículos, Encontrados 2 registros
Libros y colecciones, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 2 registros  
1.
12 p, 988.7 KB Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
Registro completo - Creative Commons
2.
16 p, 1.6 MB NanoElectronics roadmap for Europe : from nanodevices and innovative materials to system integration / Ahopelto, Jouni (VTT Technical Research Centre of Finland) ; Ardila, Gustavo (Université Grenoble Alpes) ; Baldi, L. ; Balestra, Francis (Université Grenoble Alpes) ; Belot, Didier (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Fagas, Gíorgos (Tyndall National Institute) ; De Gendt, Stephan (IMEC) ; Demarchi, Danilo (Politecnico di Torino) ; Fernández Bolaños, Montserrat (Swiss Federal Institute of Technology) ; Holden, David (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Ionescu, Adrian Mihai (EPFL) ; Meneghesso, Gaudenzio (University of Padova) ; Mocuta, Anda C. (IMEC) ; Pfeffer, Markus (Fraunhofer IISB) ; Popp, Ralf M. (edacentrum GmbH) ; Sangiorgi, Enrico C. (University of Bologna) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The NEREID project ("NanoElectronics Roadmap for Europe: Identification and Dissemination") is dedicated to mapping the future of European Nanoelectronics. NEREID's objective is to develop a medium and long term roadmap for the European nanoelectronics industry, starting from the needs of applications to address societal challenges and leveraging the strengths of the European eco-system. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.014
Solid-state electronics, Vol. 155 (May 2019) , p. 7-19  
Registro completo - Creative Commons

Libros y colecciones Encontrados 1 registros  
1.
5 p, 667.4 KB Circuit reliability prediction : challenges and solutions for the device time-dependent variability characterization roadblock / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin-Lloret, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Toro-Frias, Antonio (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The characterization of the MOSFET Time-Dependent Variability (TDV) can be a showstopper for reliability-aware circuit design in advanced CMOS nodes. In this work, a complete MOSFET characterization flow is presented, in the context of a physics-based TDV compact model, that addresses the main TDV characterization challenges for accurate circuit reliability prediction at design time. [...]
Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021 - 10.1109/laedc51812.2021.9437920
2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference, (2021), p. 1-4  
Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos