Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Shen, Z. Y.
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB 2 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.01 segons. 
1.
5 p, 993.1 KB Grain boundaries as preferential sites for Resistive Switching in the HfO2 RRAM structures / Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Liu, L. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Kang, J. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Gilmer, D. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
Resistive switching (RS) phenomenon in the HfO2 dielectric has been indirectly observed at device level in previous studies using metal-insulator-metal structures, but its origin remains unclear. In this work, using the enhanced conductive atomic force microscope (ECAFM), we have been able to obtain in situ direct observation of RS with nanometric resolution. [...]
2012 - 10.1063/1.3697648
Applied physics letters, Vol. 100, Issue 12 (March 2012) , p. 123508-1-123508-4  
Registre complet -
2.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, Guenther (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied physics letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  
Registre complet -

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Shen, Z.X.
1 Shen, Zehao
2 Shen, Zhi-Qiang
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem