pacheco-sanchez - Search Results - UAB Digital Repository of Documents

Search collections:

Sort by:	Display results:	Output format:

Results overview: Found 5 records in 0.04 seconds.
Articles, 4 records found Course materials, 1 records found

Articles	4 records found

7 p, 5.0 MB

Straightforward bias- and frequency-dependent small-signal model extraction for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille) ; Happy, Henri (Université de Lille) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We propose an explicit small-signal graphene field-effect transistor (GFET) parameter extraction procedure based on a charge-based quasi-static model. The dependence of the small-signal parameters on both gate voltage and frequency is precisely validated by high-frequency (up to 18 GHz) on-wafer measurements from a 300 nm device. [...]
2023 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.mejo.2023.105715
Microelectronics Journal, Vol. 133 (March 2023) , art. 105715

Detailed record -

15 p, 2.6 MB

Investigating the Device Performance Variation of a Buried Locally Gated Al/Al2O3 Graphene Field-Effect Transistor Process / Huang, Tzu-Jung (Rochester Institute of Technology) ; Ankolekar, Adheesh (Rochester Institute of Technology) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Puchades, Ivan (Rochester Institute of Technology)
In this study, a process is developed for the fabrication of buried top-gated graphene transistors with AlO as a gate dielectric, yielding devices that can be suitable for not only flexible electronics but also laser-induced graphene (LIG)-based technology implementations. [...]
2023 - DOI (Digital Object Identifier)

10.3390/app13127201
Applied sciences (Basel), Vol. 13, Issue 12 (June 2023) , art. 7201

Detailed record -

28 p, 5.7 MB

Compact modeling technology for the simulation of integrated circuits based on graphene field-effect transistors / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The progress made toward the definition of a modular compact modeling technology for graphene field-effect transistors (GFETs) that enables the electrical analysis of arbitrary GFET-based integrated circuits is reported. [...]
2022 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1002/adma.202201691
Advanced materials, (May 2022) , art. 2201691

Detailed record -

3 p, 431.8 KB

Cap al desenvolupament de circuits multifuncionals utilitzant dispositius emergents basats en carboni / Ramos-Silva, Javier N. (Instituto Politécnico Nacional (Mèxic). Unidad Profesional Adolfo López Mateos) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramírez-García, Eloy (Instituto Politécnico Nacional (Mèxic). Unidad Profesional Adolfo López Mateos) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Durant els últims anys la demanda de sistemes de comunicació robustos ha anat en augment com a resposta a les necessitats de la població per més i millors opcions de connectivitat. Les tecnologies de semiconductors emergents, com per exemple dispositius a base de carboni, han sorgit com a alternativa a curt termini per incrementar els límits d'acompliment de circuits integrats. [...]
Durante los últimos años la demanda de sistemas de comunicación robustos ha ido en aumento como respuesta a las necesidades de la población por más y mejores opciones de conectividad. Las tecnologías de semiconductores emergentes, como por ejemplo dispositivos a base de carbono, han surgido como una alternativa en el corto plazo para incrementar los límites de desempeño de circuitos integrados. [...]
During the last years, the claim of high-performance communication systems has increased as a result of the requirements of the population for more and better connectivity options. Emerging semiconductor technologies, e. [...]
2021
UAB divulga, Octubre 2021

3 documents

Detailed record -

Course materials	1 records found

5 p, 105.5 KB

Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jorge Francisco ; Pacheco-Sánchez, Aníbal ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2023-24
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]

3 documents

Detailed record -

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.