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39 p, 1.5 MB Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories / Yang, Hyunsoo (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chshiev, Mairbek (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Couet, Sébastien (Imec) ; Dieny, Bernard (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Dlubak, Bruno (Unité Mixte de Physique. CNRS. Thales. Université Paris-Saclay) ; Fert, Albert (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Garello, Kevin (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jamet, Matthieu (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jeong, Dae-Eun (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Kangho (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Taeyoung (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.) ; Martin, Marie-Blandine (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Kar, Gouri Sankar (Imec) ; Sénéor, Pierre (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Shin, Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Non-volatile magnetic random-access memories (MRAMs), such as spin-transfer torque MRAM and next-generation spin-orbit torque MRAM, are emerging as key to enabling low-power technologies, which are expected to spread over large markets from embedded memories to the Internet of Things. [...]
2022 - 10.1038/s41586-022-04768-0
Nature, Vol. 606, issue 7915 (June 2022) , p. 663-673  
Registro completo -

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3 Lee, T.
1 Lee, T. H.
1 Lee, Tae Hoon
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1 Lee, Todd C.
1 Lee, Tom V.
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