Negative bias temperature instabilities induced in device with millisecond anneal for ultra-shallow junctions
Moras Albero, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Simoen, E. (IMEC. Belgium.)

Data:	2014
Resum:	In this paper the NBTI degradation has been studied in pMOS transistors with ultra-thin high-k dielectric subjected to a millisecond anneal for ultra-shallow junction implantation using different laser powers. An ultrafast characterization technique has been developed with the aim of acquiring the threshold voltage (Vth) shift in relaxation times as short as possible once the electrical stress is removed. It has been observed that increasing the millisecond anneal temperature reduce the NBTI degradation. These results have been explained in the context of the emission and capture probability maps of the defects.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2010-16126 Ministerio de Economía y Competitividad BES-2011-047449 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	MOSFET ; BTI ; Annealing ; Time-dependent variability ; Emission and capture times ; Defect passivation
Publicat a:	Solid-state electronics, Vol. 101 (Nov. 2014) , p. 131-136, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2014.06.036

Post-print 11 p, 617.3 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats