Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/136894
Negative bias temperature instabilities induced in device with millisecond anneal for ultra-shallow junctions
Moras Albero, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Simoen, E. (IMEC. Belgium.)

Data: 2014
Resum: In this paper the NBTI degradation has been studied in pMOS transistors with ultra-thin high-k dielectric subjected to a millisecond anneal for ultra-shallow junction implantation using different laser powers. An ultrafast characterization technique has been developed with the aim of acquiring the threshold voltage (Vth) shift in relaxation times as short as possible once the electrical stress is removed. It has been observed that increasing the millisecond anneal temperature reduce the NBTI degradation. These results have been explained in the context of the emission and capture probability maps of the defects.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2010-16126
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/BES-2011-047449
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009-SGR-783
Drets: Tots els drets reservats
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: MOSFET ; BTI ; Annealing ; Time-dependent variability ; Emission and capture times ; Defect passivation
Publicat a: Solid-state electronics, Vol. 101 (Nov. 2014) , p. 131-136, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2014.06.036


Disponible a partir de: 2016-11-30
Post-print
36.5 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-08-03, darrera modificació el 2016-11-08



   Favorit i Compartir