Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/163088
Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo, N. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)

Data: 2016
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Conductance
Publicat a: IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 0741-3106

DOI: 10.1109/LED.2016.2537051


Post-print
4 p, 3.8 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2016-07-21, darrera modificació el 2016-09-15



   Favorit i Compartir