Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
Bersuker, G. (The Aerospace Corporation, United States)
Data: |
2016 |
Ajuts: |
Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
|
Drets: |
Tots els drets reservats. |
Llengua: |
Anglès |
Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Matèria: |
Conductance |
Publicat a: |
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 0741-3106 |
DOI: 10.1109/LED.2016.2537051
El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca >
Documents dels grups de recerca de la UAB >
Centres i grups de recerca (producció científica) >
Enginyeries >
Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC) Documents de recerca >
Documents dels grups de recerca de la UAB >
Centres i grups de recerca (producció científica) >
Ciències >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2016-07-21, darrera modificació el 2023-04-20