Hydrogen release mechanisms in the breakdown of thin SiO2 films
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Wu, E. (IBM. Microelectronics Division (Vermont, Estats Units d'Amèrica))
American Physical Society

Data:	2004
Resum:	The mechanism of hydrogen release from the anode Si/SiO2 interface that triggers defect generation and finally the dielectric breakdown of the oxide in metal-oxide-semiconductor structures is investigated. Extensive experimental charge-to-breakdown statistics are used to derive the defect generation efficiency as a function of gate voltage and oxide thickness in wide ranges. The presented results provide strong support to single-electron assisted Si-H bond breakage and discard multiple electron induced incoherent vibrational heating mechanisms.
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; Versió publicada
Publicat a:	Physical review letters, Vol. 92, Issue 8 (February 2004) , p. 087601, ISSN 1079-7114

DOI: 10.1103/PhysRevLett.92.087601

4 p, 111.6 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles publicats