Web of Science: 0 citas, Scopus: 0 citas, Google Scholar: citas
Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach
Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Simoen, E. (IMEC. Belgium.)

Fecha: 2015
Resumen: Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. The results show that although strained devices have a larger mobility, they are more sensitive to CHC stress. This effect has been observed to be larger in short channel devices. The higher susceptibility of strained MOSFETs to the stress has been related to a larger density of defects close to the diffusions, as suggested by CAFM data.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Derechos: Tots els drets reservats.
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; publishedVersion
Materia: MOSFETs ; Electric currents ; Strain measurement ; Carrier mobility ; Dielectrics
Publicado en: Journal of vacuum science and technology B, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202, ISSN 2166-2746

DOI: 10.1116/1.4913950


5 p, 939.8 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2016-07-21, última modificación el 2019-02-02



   Favorit i Compartir