Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, Carlos ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, Sergi ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo Marimon, Neus ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
Bersuker, G. (The Aerospace Corporation, United States)
Date: |
2016 |
Grants: |
Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
|
Rights: |
Tots els drets reservats. ![](/img/licenses/InC.ico) |
Language: |
Anglès |
Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Subject: |
Conductance |
Published in: |
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 0741-3106 |
DOI: 10.1109/LED.2016.2537051
The record appears in these collections:
Research literature >
UAB research groups literature >
Research Centres and Groups (research output) >
Experimental sciences >
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2)Research literature >
UAB research groups literature >
Research Centres and Groups (research output) >
Engineering >
The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC) Articles >
Research articlesArticles >
Published articles
Record created 2016-07-21, last modified 2023-04-20