Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafria, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
Bersuker, G. (The Aerospace Corporation, United States)

Date:	2016
Grants:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Rights:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	Conductance
Published in:	IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 1558-0563

DOI: 10.1109/LED.2016.2537051

Post-print 4 p, 3.8 MB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (research output) > Experimental sciences > Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2)
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (research output) > Engineering > The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC)
Articles > Research articles
Articles > Published articles