Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, Carlos ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, Sergi ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo Marimon, Neus ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
Bersuker, G. (The Aerospace Corporation, United States)
Fecha: |
2016 |
Ayudas: |
Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
|
Derechos: |
Tots els drets reservats. ![](/img/licenses/InC.ico) |
Lengua: |
Anglès |
Documento: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Materia: |
Conductance |
Publicado en: |
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 0741-3106 |
DOI: 10.1109/LED.2016.2537051
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Registro creado el 2016-07-21, última modificación el 2023-04-20