Web of Science: 5 citations, Scopus: 5 citations, Google Scholar: citations
Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)

Date: 2016
Note: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Note: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384 C. Couso, V. Iglesias, M. Porti, S.
Rights: Tots els drets reservats.
Language: Anglès.
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Subject: Conductance
Published in: IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 0741-3106

DOI: 10.1109/LED.2016.2537051


Post-print
4 p, 3.8 MB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (scientific output) > Experimental sciences > Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2)
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (scientific output) > Engineering > The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC)
Articles > Research articles
Articles > Published articles

 Record created 2016-07-21, last modified 2019-02-02



   Favorit i Compartir