Web of Science: 5 citas, Scopus: 5 citas, Google Scholar: citas
Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)

Fecha: 2016
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384 C. Couso, V. Iglesias, M. Porti, S.
Derechos: Tots els drets reservats.
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: Conductance
Publicado en: IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 0741-3106

DOI: 10.1109/LED.2016.2537051


Post-print
4 p, 3.8 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2016-07-21, última modificación el 2019-02-02



   Favorit i Compartir