Web of Science: 24 citas, Scopus: 22 citas, Google Scholar: citas,
Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics
Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2011
Resumen: In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. The impact of an electrical stress on the electrical conduction and the charge trapping of amorphous and polycrystalline Al₂O₃ layers have been also analyzed.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2007-61294
Nota: Número d'acord de subvenció MEC/HA2007-0029
Derechos: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Lengua: Anglès
Documento: article ; recerca ; publishedVersion
Materia: Ultra High Vacuum ; Polycrystalline Structure ; Amorphous Sample ; Contact Potential Difference ; Al₂O₃ Layer
Publicado en: Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108, ISSN 1931-7573

DOI: 10.1186/1556-276X-6-108
PMID: 21711617
PMID: 21711617


9 p, 644.4 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2018-01-25, última modificación el 2020-08-09



   Favorit i Compartir