Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics
Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2011
Resum:	In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. The impact of an electrical stress on the electrical conduction and the charge trapping of amorphous and polycrystalline Al₂O₃ layers have been also analyzed.
Ajuts:	Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2007-61294 Ministerio de Educación y Ciencia HA2007-0029
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Ultra High Vacuum ; Polycrystalline Structure ; Amorphous Sample ; Contact Potential Difference ; Al₂O₃ Layer
Publicat a:	Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108, ISSN 1931-7573

DOI: 10.1186/1556-276X-6-108
PMID: 21711617

9 p, 644.4 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats