Top-down CMOS-NEMS polysilicon nanowire with piezoresistive transduction
Marigó Ferrer, Eloi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Sansa Perna, Marc (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Pérez Murano, Francesc (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2015
Resum:	A top-down clamped-clamped beam integrated in a CMOS technology with a cross section of 500 nm × 280 nm has been electrostatic actuated and sensed using two different transduction methods: capacitive and piezoresistive. The resonator made from a single polysilicon layer has a fundamental in-plane resonance at 27 MHz. Piezoresistive transduction avoids the effect of the parasitic capacitance assessing the capability to use it and enhance the CMOS-NEMS resonators towards more efficient oscillator. The displacement derived from the capacitive transduction allows to compute the gauge factor for the polysilicon material available in the CMOS technology.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2012-32677
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	NEMS ; CMOS-NEMS ; Mechanical resonators ; Piezoresistive transduction ; Polysilicon nanowires
Publicat a:	Sensors (Basel, Switzerland), Vol. 15 (July 2015) , p. 17036-17047, ISSN 1424-8220

DOI: 10.3390/s150717036
PMID: 26184222

12 p, 2.7 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats