Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects
Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Cagli, Carlo (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França))
Perniola, Luca (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França))
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2018
Resum:	Resistive switching is investigated in TiN/Ti/HfO (10 nm)/TiN devices in series with a NMOS transistor as selector in a 1T1R configuration. A complete electrical characterization of the devices is carried out using DC voltage loops, constant-voltage stressed and pulses with varying voltage amplitude and time width. Good control of the ON resistance is achieved by applying different transistor gate voltages and multiple OFF states are controllably reached by varying the maximum reset voltage. The on/off resistance ratio is successfully controlled by changing the pulse amplitude and time duration. However, significant memory effects are reported, showing that the switching of a device depends on its switching history. Exploring the on/off ratio for different set and reset voltage amplitudes in otherwise identical set/reset pulse experiments is shown to depend on the order of application of the different stress conditions so that the on/off resistance map in the V /V space is not unique. We interpret these results as an evidence of second-order memristive effects.
Ajuts:	European Commission 783176 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2017-84321-C4-4-R
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió sotmesa a revisió
Publicat a:	Microelectronic engineering, Vol. 195 (August 2018) , p. 101-106, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2018.04.006

Preprint 26 p, 1.0 MB

Postprint 26 p, 1.0 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats