Web of Science: 4 cites, Scopus: 3 cites, Google Scholar: cites,
GFET asymmetric transfer response analysis through access region resistances
Toral Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica)
Marin, Enrique G. (Universitá di Pisa. Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione)
Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Gonzalez Medina, Jose Maria (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica)
Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante)
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Godoy, Andres (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante)

Data: 2019
Resum: Graphene-based devices are planned to augment the functionality of Si and III-V based technology in radio-frequency (RF) electronics. The expectations in designing graphene field-effect transistors (GFETs) with enhanced RF performance have attracted significant experimental efforts, mainly concentrated on achieving high mobility samples. However, little attention has been paid, so far, to the role of the access regions in these devices. Here, we analyse in detail, via numerical simulations, how the GFET transfer response is severely impacted by these regions, showing that they play a significant role in the asymmetric saturated behaviour commonly observed in GFETs. We also investigate how the modulation of the access region conductivity (i. e. , by the influence of a back gate) and the presence of imperfections in the graphene layer (e. g. , charge puddles) affects the transfer response. The analysis is extended to assess the application of GFETs for RF applications, by evaluating their cut-off frequency.
Ajuts: MINECO/TEC2017-89955-P
MINECO/TEC2015-67462-C2-1-R
MINECO/IJCI-2017-32297
MINECO/FPU16/04043
MINECO/FPU14/02579
European Commission 785219
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria: GFET ; RF ; Access region
Publicat a: Nanomaterials, Vol. 9, Issue 7 (July 2019) , art. 1027, ISSN 2079-4991

DOI: 10.3390/nano9071027
PMID: 31323809


12 p, 530.3 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2020-01-10, darrera modificació el 2021-08-07



   Favorit i Compartir