High Performance Seesaw Torsional CMOS-MEMS Relay Using Tungsten VIA Layer
Riverola, Martín (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Torres, Francesc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2018
Resum:	In this paper, a seesaw torsional relay monolithically integrated in a standard 0. 35 μm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology is presented. The seesaw relay is fabricated using the Back-End-Of-Line (BEOL) layers available, specifically using the tungsten VIA3 layer of a 0. 35 μm CMOS technology. Three different contact materials are studied to discriminate which is the most adequate as a mechanical relay. The robustness of the relay is proved, and its main characteristics as a relay for the three different contact interfaces are provided. The seesaw relay is capable of a double hysteretic switching cycle, providing compactness for mechanical logic processing. The low contact resistance achieved with the TiN/W mechanical contact with high cycling life time is competitive in comparison with the state-of-the art.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2015-66337-R
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	MEMS relays ; MEMS switches ; Mechanical relays ; CMOS-MEMS ; MEMS
Publicat a:	Micromachines, Vol. 9 (november 2018) , ISSN 2072-666X

DOI: 10.3390/mi9110579
PMID: 30405006

13 p, 10.2 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats