High Performance Seesaw Torsional CMOS-MEMS Relay Using Tungsten VIA Layer
Riverola, Martín (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Torres, Francesc 1948- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2018
Resum:	In this paper, a seesaw torsional relay monolithically integrated in a standard 0. 35 μm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology is presented. The seesaw relay is fabricated using the Back-End-Of-Line (BEOL) layers available, specifically using the tungsten VIA3 layer of a 0. 35 μm CMOS technology. Three different contact materials are studied to discriminate which is the most adequate as a mechanical relay. The robustness of the relay is proved, and its main characteristics as a relay for the three different contact interfaces are provided. The seesaw relay is capable of a double hysteretic switching cycle, providing compactness for mechanical logic processing. The low contact resistance achieved with the TiN/W mechanical contact with high cycling life time is competitive in comparison with the state-of-the art.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2015-66337-R
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	MEMS relays ; MEMS switches ; Mechanical relays ; CMOS-MEMS ; MEMS
Publicat a:	Micromachines, Vol. 9 (november 2018) , ISSN 2072-666X

DOI: 10.3390/mi9110579
PMID: 30405006

13 p, 10.2 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats