Fingerprints of inelastic transport at the surface of the topological insulator Bi 2 Se 3 : role of electron-phonon coupling
Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Marinova, Vera (Bulgarian Academy of Sciences. Institute of Optical Materials and Technologies)
Gospodinov, M. M. (Bulgarian Academy of Sciences. Institute of Solid State Physics)
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data:	2014
Resum:	We report on electric-field and temperature-dependent transport measurements in exfoliated thin crystals of the Bi2Se3 topological insulator. At low temperatures (<50 K) and when the chemical potential lies inside the bulk gap, the crystal resistivity is strongly temperature dependent, reflecting inelastic scattering due to the thermal activation of optical phonons. A linear increase of the current with voltage is obtained up to a threshold value at which current saturation takes place. We show that the activated behavior, the voltage threshold, and the saturation current can all be quantitatively explained by considering a single optical-phonon mode with energy â Ω≈8 meV. This phonon mode strongly interacts with the surface states of the material and represents the dominant source of scattering at the surface at high electric fields.
Ajuts:	European Commission 308023 Ministerio de Economía y Competitividad MAT2012-33911 Ministerio de Economía y Competitividad RYC-2011-08319 Ministerio de Economía y Competitividad MAT2010-18065
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Publicat a:	Physical review letters, Vol. 112, issue 8 (Feb. 2014) , art. 86601, ISSN 1079-7114

DOI: 10.1103/PhysRevLett.112.086601

Postprint 12 p, 487.8 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats