Resonant MEMS pressure sensor in 180 nm CMOS technology obtained by BEOL isotropic etching - Mata-Hernandez, Diana (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández Martínez, Daniel (Institut de Física d'Altes Energies) ; Banerji, Saoni (University of Tartu. Institute of Technology. Intelligent Materials and Systems Laboratory) ; Madrenas, Jordi (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>