Circuit reliability prediction : challenges and solutions for the device time-dependent variability characterization roadblock
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin-Lloret, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Toro-Frias, Antonio (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)

Publicació:	Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021
Resum:	The characterization of the MOSFET Time-Dependent Variability (TDV) can be a showstopper for reliability-aware circuit design in advanced CMOS nodes. In this work, a complete MOSFET characterization flow is presented, in the context of a physics-based TDV compact model, that addresses the main TDV characterization challenges for accurate circuit reliability prediction at design time. The pillars of this approach are described and illustrated through examples.
Ajuts:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB Agencia Estatal de Investigación TEC2016-75151-C3-1-R
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Capítol de llibre ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	Aging ; BTI ; Characterization ; CMOS technology ; HCI degradation ; MOSFET ; RTN ; Time-dependent variability
Publicat a:	2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference, 2021, p. 1-4, ISBN 978-1-6654-1510-1

DOI: 10.1109/laedc51812.2021.9437920

Postprint 5 p, 667.4 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Llibres i col·leccions > Capítols de llibres