A systematic approach to RTN parameter fitting based on the Maximum Current Fluctuation
Saraza-Canflanca, P. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Martin-Martinez, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Roca, E. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Rodriguez, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafria, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Fernandez, F. V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)

Fecha:	2022
Resumen:	This paper addresses the automated parameter extraction of Random Telegraph Noise (RTN) models in nanoscale field-effect transistors. Unlike conventional approaches based on complex extraction of current levels and timing of trapping/de-Trapping events from individual defects in current traces, the proposed approach performs a simple processing of current traces. A smart optimization problem formulation allows getting distribution functions of the amplitude of the current shifts and of the number of active defects vs. Time.
Ayudas:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C31 Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32
Nota:	Altres ajuts: grant US-1380876 funded by Consejería de Economía, Conocimiento, Empresas y Universidad de la Junta de Andalucía
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Capítol de llibre ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Modeling characterization ; RTN ; Time-dependent variability
Publicado en:	18th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), 2022 , ISBN 978-1-6654-6703-2

DOI: 10.1109/SMACD55068.2022.9816234

Postprint 4 p, 359.3 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Libros y colecciones > Capítulos de libros