| Home > Books and collections > Book chapters > A systematic approach to RTN parameter fitting based on the Maximum Current Fluctuation |
| Date: | 2022 |
| Abstract: | This paper addresses the automated parameter extraction of Random Telegraph Noise (RTN) models in nanoscale field-effect transistors. Unlike conventional approaches based on complex extraction of current levels and timing of trapping/de-Trapping events from individual defects in current traces, the proposed approach performs a simple processing of current traces. A smart optimization problem formulation allows getting distribution functions of the amplitude of the current shifts and of the number of active defects vs. Time. |
| Grants: | Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C31 Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32 |
| Note: | Altres ajuts: grant US-1380876 funded by Consejería de Economía, Conocimiento, Empresas y Universidad de la Junta de Andalucía |
| Rights: | Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets. |
| Language: | Anglès |
| Document: | Capítol de llibre ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Subject: | Modeling characterization ; RTN ; Time-dependent variability |
| Published in: | 18th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), 2022, ISBN 978-1-6654-6703-2 |
Postprint 4 p, 359.3 KB |