Resistive Switching phenomenon in FD-SOI Ω-Gate FETs : Transistor performance recovery and back gate bias influence
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2025
Abstract:	Resistive Switching (RS) phenomenon, usually observed in two-terminal memristor devices, refers to the reversible change in resistance of a material under an external electric field. In this work, RS has been observed in N-type Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FDSOI) Ω-gate nanowire field-effect transistors (NW-FETs). For the first time, partial recovery of the transistor's ID-VD characteristics during the RS cycling is experimentally demonstrated, indicating the potential of the device to be used both as a transistor and a memristor. The effect of increasing the back gate voltage on the RS characteristics was also experimentally investigated. It was found that higher back gate voltages enhance the RS parameters, thereby establishing a direct relationship between back bias and device performance.
Grants:	Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22 Agencia Estatal de Investigación PRE2020-092522
Note:	Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Subject:	Back Gate ; FD-SOI ; High-k ; Nanowire ; Resistive Switching ; RRAM
Published in:	Solid-state electronics, Vol. 225 (April 2025) , art. 109067, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2025.109067

4 p, 1.1 MB

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles