Resistive Switching phenomenon in FD-SOI Ω-Gate FETs : Transistor performance recovery and back gate bias influence
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodriguez, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo-Yepes, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin-Martinez, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafria, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2025
Resum:	Resistive Switching (RS) phenomenon, usually observed in two-terminal memristor devices, refers to the reversible change in resistance of a material under an external electric field. In this work, RS has been observed in N-type Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FDSOI) Ω-gate nanowire field-effect transistors (NW-FETs). For the first time, partial recovery of the transistor's ID-VD characteristics during the RS cycling is experimentally demonstrated, indicating the potential of the device to be used both as a transistor and a memristor. The effect of increasing the back gate voltage on the RS characteristics was also experimentally investigated. It was found that higher back gate voltages enhance the RS parameters, thereby establishing a direct relationship between back bias and device performance.
Ajuts:	Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22 Agencia Estatal de Investigación PRE2020-092522
Nota:	Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Back Gate ; FD-SOI ; High-k ; Nanowire ; Resistive Switching ; RRAM
Publicat a:	Solid-state electronics, Vol. 225 (April 2025) , art. 109067, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2025.109067

4 p, 1.1 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats