A statistical characterization of dielectric breakdown in FDSOI nanowire transistors
Goyal, Rishab (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
| Fecha: |
2026 |
| Resumen: |
In this work, dielectric breakdown (BD) and post-BD conduction in ultimate FDSOI nanowire (NW) transistors with Ω-gate and high-k dielectric have been investigated. The experiments show that BD in largely scaled NW transistors differ significantly from that in bulk planar transistors. Several types of post-BD behaviours have been observed, some of which not only hinder the device performance, but also jeopardize the integrity of the nanowire structure and materials. A comprehensive study of the phenomena has been performed on pMOS and nMOS with different widths and lengths, under different temperature conditions. |
| Ayudas: |
Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00199
|
| Nota: |
Altres ajuts: acords transformatius de la UAB |
| Derechos: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.  |
| Lengua: |
Anglès |
| Documento: |
Article ; recerca ; Versió publicada |
| Materia: |
Dielectric breakdown ;
Failure ;
FD-SOI ;
High-k ;
Lifetime ;
NW FETs ;
Power consumption ;
Reliability |
| Publicado en: |
Microelectronic engineering, Vol. 302 (January 2026) , art. 112422, ISSN 0167-9317 |
DOI: 10.1016/j.mee.2025.112422
El registro aparece en las colecciones:
Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2025-11-05, última modificación el 2025-12-31
visitante ::
identificación
