Google Scholar: cites
A statistical characterization of dielectric breakdown in FDSOI nanowire transistors
Goyal, Rishab (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2026
Resum: In this work, dielectric breakdown (BD) and post-BD conduction in ultimate FDSOI nanowire (NW) transistors with Ω-gate and high-k dielectric have been investigated. The experiments show that BD in largely scaled NW transistors differ significantly from that in bulk planar transistors. Several types of post-BD behaviours have been observed, some of which not only hinder the device performance, but also jeopardize the integrity of the nanowire structure and materials. A comprehensive study of the phenomena has been performed on pMOS and nMOS with different widths and lengths, under different temperature conditions.
Ajuts: Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00199
Nota: Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria: Dielectric breakdown ; Failure ; FD-SOI ; High-k ; Lifetime ; NW FETs ; Power consumption ; Reliability
Publicat a: Microelectronic engineering, Vol. 302 (January 2026) , art. 112422, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2025.112422


8 p, 1.3 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2025-11-05, darrera modificació el 2025-12-31



   Favorit i Compartir