La nanoelectrònica cerca el substitut de l'òxid de silici
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Títol variant:	La nanoelectrónica busca el sustituto del óxido de silicio
Data:	2006
Resum:	La comunitat científica internacional investiga les possibilitats de substitució de l'òxid de silici, un dels components principals dels dispositius microelectrònics, per altres materials amb millors propietats elèctriques i compatibles amb els processos de fabricació CMOS (Semiconductor Complementari d'Oxid de Metall). El Departament d'Enginyeria Electrònica de la UAB, juntament amb el centre europeu d'investigació IMEC, ha estudiat alguns d'aquests elements utilitzant tècniques amb resolució espacial nanomètrica.
Resum:	La comunidad científica internacional investiga las posibilidades de sustitución del óxido de silicio, uno de los componentes principales de los dispositivos microelectrónicos, por otros materiales con mejores propiedades eléctricas y compatibles con los procesos de fabricación CMOS (Semiconductor Complementario de Oxido de Metal). El Departamento de Ingeniería Electrònica de la UAB, junto con el centro europeo de investigación IMEC, ha estudiado algunos de estos elementos utilizando técnicas con resolución espacial nanométrica.
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan aquestes es distribueixin sota la mateixa llicència que regula l'obra original i es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Català i Castellà
Document:	Article ; divulgació ; Versió publicada
Publicat a:	UAB divulga, juliol 2006, p. 1-1, ISSN 2014-6388

Català 2 p, 82.1 KB

Español 2 p, 100.4 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles publicats > UAB Divulga
Articles > Articles de divulgació