Flores Gual, David - Resultats de la cerca - Dipòsit Digital de Documents de la UAB

visitant :: identificació

Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Flores Gual, David

Cerca col·leccions:

Ordena'ls per:	Mostrar els resultats:	Format de visualizació:

Dipòsit Digital de Documents de la UAB	21 registres trobats 12 - 21 anar al registre:	La cerca s'ha fet en 0.01 segons.

12.

238 p, 3.5 MB

Diseño, fabricación y optimización de detectores con multiplicación (LGAD) para experimentos de física de altas energías / Fernández Martínez, Pablo ; Flores Gual, David, dir. ; Hidalgo Villena, Salvador, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Cuando los dispositivos semiconductores, especialmente los basados en control por puerta MOS, se someten a una dosis elevada de radiación, sus características eléctricas se deterioran rápidamente. [...]
Semiconductor devices, especially those based on MOS gate control, subjected to a high dose of radiation, suffer from a fast deterioration of their electrical characteristics. Furthermore, the miniaturization and the thinning of the different layers used in device fabrication, enhance the radiation sensitivity. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014

Registre complet -

13.

206 p, 13.7 MB

Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies / Placidi, Marcel ; Godignon, Philippe, dir. ; Flores Gual, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Vegeu mpresum1de1. pdf.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011

2 documents

Registre complet -

14.

191 p, 4.0 MB

Avalanche Ruggedness of Local Charge Balance Power Super Junction Transistors / Villamor Baliarda, Ana ; Flores Gual, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Moens, Peter, dir. ; Roig Guitart, Jaume, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'objectiu principal de la Tesi Doctoral és augmentar la fiabilitat dels transistors MOS de potència d'alta capacitat en tensió (600 V) basats en el concepte Super-Unió quan aquests components es sotmeten a les condicions més extremes en convertidors DC/DC i circuits reguladors del factor de potència, on el seu díode intrínsec ha d'absorbir una gran quantitat d'energia en molt poc temps. [...]
The main objective of the thesis is the reliability increase of high voltage (600 V) power MOSFETS based in the Super Junction concept when they are submitted to the most extreme conditions in DC/DC converters and Factor Power Correction circuits and the intrinsic body diode has to handle a big amount of energy in a very short period of time. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014

Registre complet -

15.

4 p, 101.7 KB

Circuits Electrònics de Potència [102731] / Flores Gual, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
ELs objectius de l'assignatura són els següents: 1. Comprendre la metodologia d'anàlisi de circuits de potència basada en la identificació del corrent en cada component a cada instant de temps. [...]
2014-15
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]

Registre complet -

16.

4 p, 101.7 KB

Circuits Electrònics de Potència [102731] / Flores Gual, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
ELs objectius de l'assignatura són els següents: 1. Comprendre la metodologia d'anàlisi de circuits de potència basada en la identificació del corrent en cada component a cada instant de temps. [...]
2013-14

Registre complet -

17.

4 p, 12.0 KB

Registre complet -

18.

138 p, 2.3 MB

Métodos de extracción de parámetros de un circuito equivalente de pequeña señal para transistores LDMOS de potencia para aplicaciones de RF / Chincolla Sánchez, Manuel ; Flores Gual, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En la actualidad, la gran cantidad de aplicaciones que surgen dentro del ámbito de la radiofrecuencia hacen que el desarrollo de dispositivos dentro de este campo sea constante. Estos dispositivos cada vez requieren mayor potencia para frecuencias de trabajo elevadas, lo que sugiere abrir vías de investigación sobre dispositivos de potencia que ofrezcan los resultados deseados para altas frecuencias de operación (GHz). [...]
Actualment, la gran quantitat d'aplicacions que apareixen dins l'àmbit de la radiofreqüència fan que el desenvolupament de dispositius en aquest camp sigui constant. Aquests dispositius cada vegada treballen a una potència més elevada amb altes freqüències d'operació, cosa que ens suggereix obrir branques d'investigació sobre dispositius de potència que siguin capaços d'oferir els resultats desitjats per freqüències de treball elevades (GHz). [...]
At the present time, the great amount of applications that arise within the scope of the radio frequency does that the development of devices within this field is constant. These devices every time require greater power for elevated frequencies of work, which suggests to open investigation routes on power devices which they offer the results wished for high frequencies of operation (GHz). [...]
2007

Registre complet -

19.