Web of Science: 32 cites, Scopus: 32 cites, Google Scholar: cites,
Near-field photocurrent nanoscopy on bare and encapsulated graphene
Woessner, Achim (Institut de Ciències Fotòniques (Castelldefels))
Alonso-González, Pablo (Chinese Academy of Science. Institute of Physics (Beijing))
Lundeberg, Mark B. (Institut de Ciències Fotòniques (Castelldefels))
Gao, Yuanda (Columbia University)
Barrios-Vargas, José Eduardo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Navickaite, Gabriele (Institut de Ciències Fotòniques (Castelldefels))
Ma, Qiong (Massachusetts Institute of Technology. Department of Physics)
Janner, Davide (Institut de Ciències Fotòniques (Castelldefels))
Watanabe, Kenji (National Institute for Materials Science (Tsukuba, Japó))
Cummings, Aron W. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Taniguchi, Takashi (National Institute for Materials Science (Tsukuba, Japó))
Pruneri, Valerio (Institut de Ciències Fotòniques (Castelldefels))
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Jarillo-Herrero, Pablo (Massachusetts Institute of Technology. Department of Physics)
Hone, James (Columbia University. Department of Mechanical Engineering)
Hillenbrand, Rainer (CIC nanoGUNE (Sant Sebastià, País Basc))
Koppens, Frank H.L. (Institut de Ciències Fotòniques (Castelldefels))

Data: 2016
Resum: Optoelectronic devices utilizing graphene have demonstrated unique capabilities and performances beyond state-of-the-art technologies. However, requirements in terms of device quality and uniformity are demanding. A major roadblock towards high-performance devices are nanoscale variations of the graphene device properties, impacting their macroscopic behaviour. Here we present and apply non-invasive optoelectronic nanoscopy to measure the optical and electronic properties of graphene devices locally. This is achieved by combining scanning near-field infrared nanoscopy with electrical read-out, allowing infrared photocurrent mapping at length scales of tens of nanometres. Using this technique, we study the impact of edges and grain boundaries on the spatial carrier density profiles and local thermoelectric properties. Moreover, we show that the technique can readily be applied to encapsulated graphene devices. We observe charge build-up near the edges and demonstrate a solution to this issue.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2015-0522
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/294056
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/307806
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1535
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/RYC-2012-12281
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/FIS2013-47161-P
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/613024
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/604391
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-46168-R
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/MAT2012-33911
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2013-0295
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Llengua: Anglès.
Document: article ; recerca ; publishedVersion
Publicat a: Nature Communications, Vol. 7 (February 2016) , article 10783, ISSN 2041-1723

DOI: 10.1038/ncomms10783
PMID: 26916951


7 p, 1.1 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2018-07-20, darrera modificació el 2018-07-30



   Favorit i Compartir