Twin-induced InSb nanosails : a convenient high mobility quantum system
De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Leturcq, Renaud (Institut d'Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França))
Plissard, Sébastien R. (Centre national de la recherche scientifique. Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes)
Rolland, Chloé (Institut d'Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França))
Magen Dominguez, Cesar (Instituto de Nanociencia de Aragón)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Caroff, Philippe (Institut d'Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França))

Data:	2016
Resum:	Ultra narrow bandgap III-V semiconductor nanomaterials provide a unique platform for realizing advanced nanoelectronics, thermoelectrics, infrared photodetection, and quantum transport physics. In this work we employ molecular beam epitaxy to synthesize novel nanosheet-like InSb nanostructures exhibiting superior electronic performance. Through careful morphological and crystallographic characterization we show how this unique geometry is the result of a single twinning event in an otherwise pure zinc blende structure. Four-terminal electrical measurements performed in both the Hall and van der Pauw configurations reveal a room temperature electron mobility greater than 12 000 cm²·V⁻¹·s⁻¹. Quantized conductance in a quantum point contact processed with a split-gate configuration is also demonstrated. We thus introduce InSb "nanosails" as a versatile and convenient platform for realizing new device and physics experiments with a strong interplay between electronic and spin degrees of freedom.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad MAT2014-51480-ERC Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1638
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	Cs-corrected scanning transmission electron microscopy ; Hall measurements ; III-V semiconductor ; Molecular beam epitaxy ; Nanowires ; Quantum point contact
Publicat a:	Nano letters, Vol. 16, issue 2 (Oct. 2016) , p. 825-833, ISSN 1530-6992

DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05125

Post-print 32 p, 3.3 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats