Web of Science: 30 citas, Scopus: 33 citas, Google Scholar: citas,
Twin-induced InSb nanosails : a convenient high mobility quantum system
Mata Fernández, María de la (Institut Catalá de Nanociència i Nanotecnologia)
Leturcq, Renaud (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie)
Plissard, Sébastien R. (Centre national de la recherche scientifique. Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes)
Rolland, Chloé (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie)
Magén, César (Instituto de Nanociencia de Aragón)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Caroff, Philippe (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie)

Fecha: 2016
Resumen: Ultra narrow bandgap III-V semiconductor nanomaterials provide a unique platform for realizing advanced nanoelectronics, thermoelectrics, infrared photodetection, and quantum transport physics. In this work we employ molecular beam epitaxy to synthesize novel nanosheet-like InSb nanostructures exhibiting superior electronic performance. Through careful morphological and crystallographic characterization we show how this unique geometry is the result of a single twinning event in an otherwise pure zinc blende structure. Four-terminal electrical measurements performed in both the Hall and van der Pauw configurations reveal a room temperature electron mobility greater than 12 000 cm²·V⁻¹·s⁻¹. Quantized conductance in a quantum point contact processed with a split-gate configuration is also demonstrated. We thus introduce InSb "nanosails" as a versatile and convenient platform for realizing new device and physics experiments with a strong interplay between electronic and spin degrees of freedom.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/MAT2014-51480-ERC
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1638
Derechos: Tots els drets reservats.
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: Cs-corrected scanning transmission electron microscopy ; Hall measurements ; III-V semiconductor ; Molecular beam epitaxy ; Nanowires ; Quantum point contact
Publicado en: Nano letters, Vol. 16, issue 2 (Oct. 2016) , p. 825-833, ISSN 1530-6992

DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05125


Post-print
32 p, 3.3 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2018-09-18, última modificación el 2019-06-04



   Favorit i Compartir