Ptsi clustering in silicon probed by transport spectroscopy
Mongillo, Massimo ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics)
Spathis, Panayotis (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics)
Katsaros, Georgios ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics)
De Franceschi, Silvano ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics)
Gentile, Pascal ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics)
Rurali, Riccardo ![Identificador ORCID](/img/uab/orcid.ico)
(Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Cartoixà Soler, Xavier
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Fecha: |
2014 |
Resumen: |
Metal silicides formed by means of thermal annealing processes are employed as contact materials in microelectronics. Control of the structure of silicide/silicon interfaces becomes a critical issue when the characteristic size of the device is reduced below a few tens of nanometers. Here, we report on silicide clustering occurring within the channel of PtSi/Si/PtSi Schottky-barrier transistors. This phenomenon is investigated through atomistic simulations and low-temperature resonant-tunneling spectroscopy. Our results provide evidence for the segregation of a PtSi cluster with a diameter of a few nanometers from the silicide contact. The cluster acts as a metallic quantum dot giving rise to distinct signatures of quantum transport through its discrete energy states. |
Ayudas: |
European Commission 280043
|
Derechos: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. ![Creative Commons](/img/licenses/by.ico) |
Lengua: |
Anglès |
Documento: |
Article ; recerca ; Versió publicada |
Materia: |
Atomistic simulations ;
Characteristic size ;
Contact material ;
Discrete energies ;
Quantum transport ;
Schottky barriers ;
Thermal annealing process ;
Transport spectroscopy |
Publicado en: |
Physical Review, Vol. 3, issue. 4 (Dec. 2014) , art. e041025, ISSN 2160-3308 |
DOI: 10.1103/PhysRevX.3.041025
El registro aparece en las colecciones:
Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2019-05-29, última modificación el 2022-02-06