visitant ::
identificació
|
|||||||||||||||
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español |
Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > P-type β-gallium oxide : |
Data: | 2017 |
Resum: | Wide-bandgap semiconductors (WBG) are expected to be applied to solid-state lighting and power devices, supporting a future energy-saving society. Here we present evidence of p-type conduction in the undoped WBG β-Ga O . Hole conduction, established by Hall and Seebeck measurements, is consistent with findings from photoemission and cathodoluminescence spectroscopies. The ionization energy of the acceptor level was measured to be 1. 1eV above the valence band edge. The gallium vacancy was identified as a possible acceptor candidate based on thermodynamic equilibrium Ga O (crystal) - O (gas) system calculations (Kroger theory) which revealed a window without oxygen vacancy compensation. The possibility of fabricating large diameter wafers of β-Ga O of p and n type nature, provides new avenues for high power and deep UV-optoelectronic devices. |
Ajuts: | Ministerio de Economía y Competitividad ENE2015-74275-JIN Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295 |
Drets: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. |
Llengua: | Anglès |
Document: | Article ; recerca ; Versió sotmesa a revisió |
Matèria: | Wide band gap semiconductor ; Beta-Ga2O3 ; Electrical properties ; Hole conductivity ; Thermodynamic calculations |
Publicat a: | Materials today physics, Vol. 3 (December 2017) , p. 118-126, ISSN 2542-5293 |
Preprint 19 p, 1.0 MB |