On the role of power dissipation in the Post-BD behavior of FDSOI NanoWire FETs
Goyal, Rishab (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2025
Abstract:	Dielectric Breakdown, which has been associated with the progressive wear-out of the gate dielectric, has been one of the most detrimental failure mechanisms in CMOS devices. With downscaling, new device architectures and/or materials have been introduced, so, it is necessary to evaluate the BD impact at device (and circuit) level in these new structures. In this work, the dielectric BD and the post-BD behavior in largely scaled FDSOI nanowire transistors with high-k gate dielectric have been characterized, using the energy and the power dissipated by the device under test as key parameters. The experimental results evidence the presence of new detrimental effects for the device's integrity beyond the traditional dielectric BD.
Grants:	Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00199
Note:	Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Subject:	Aging ; FDSOI ; Nanowire ; High-k ; Reliability ; Dielectric breakdown
Published in:	Solid-state electronics, Vol. 230 (December 2025) , art. 109228, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2025.109228

4 p, 2.7 MB

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles