On the role of power dissipation in the Post-BD behavior of FDSOI NanoWire FETs
Goyal, Rishab (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2025
Resumen:	Dielectric Breakdown, which has been associated with the progressive wear-out of the gate dielectric, has been one of the most detrimental failure mechanisms in CMOS devices. With downscaling, new device architectures and/or materials have been introduced, so, it is necessary to evaluate the BD impact at device (and circuit) level in these new structures. In this work, the dielectric BD and the post-BD behavior in largely scaled FDSOI nanowire transistors with high-k gate dielectric have been characterized, using the energy and the power dissipated by the device under test as key parameters. The experimental results evidence the presence of new detrimental effects for the device's integrity beyond the traditional dielectric BD.
Ayudas:	Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00199
Nota:	Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Aging ; FDSOI ; Nanowire ; High-k ; Reliability ; Dielectric breakdown
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 230 (December 2025) , art. 109228, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2025.109228

4 p, 2.7 MB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados