1.
|
10 p, 2.9 MB |
On the aging of OTFTs and its impact on PUFs reliability
/
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Arnal Rus, August (FlexiIC SL.) ;
Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ;
Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Given the current maturity of printed technologies, Organic Thin-Film Transistors (OTFT) still show high initial variability, which can be beneficial for its exploitation in security applications. In this work, the process-related variability and aging of commercial OTFTs have been characterized to evaluate the feasibility of OTFTs-based Physical Unclonable Functions (PUFs) implementation. [...]
Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI), 2024 - 10.3390/mi15040443
Micromachines, Vol. 15, issue 4 (April 2024) , art. 443
|
|
2.
|
|
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging
/
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nasarre Campo, Carles (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264
|
|
3.
|
|
Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
/
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108625
Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625
|
|
4.
|
|
Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
/
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108324
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324
|
|
5.
|
|
6.
|
|
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging
/
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ;
Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698
|
|
7.
|
|
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages
/
Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735
|
|
8.
|
12 p, 988.7 KB |
Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements
/
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094
|
|
9.
|
27 p, 836.1 KB |
Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization
/
Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Alonso Pérez, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ;
Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666
|
|
10.
|
7 p, 481.4 KB |
Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation
/
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410
|
|