Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica

Publicació:	[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013
Descripció:	1 recurs electrònic (154 p.)
Resum:	Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. Esto se ha hecho con el objetivo de estudiar la variabilidad y evolución del fenómeno y los parámetros que lo caracterizan tras provocar un elevado número de veces la ruptura y su reversibilidad en un mismo dispositivo.
Nota:	Tesi doctoral - Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica, 2012
Drets:	ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
Llengua:	Castellà
Document:	Tesi doctoral
Matèria:	Ruptura elèctrica ; Metall òxid semiconductors complementaris ; Dielèctrics
ISBN:	9788449034558

Adreça alternativa: https://hdl.handle.net/10803/107847

154 p, 4.1 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Tesis doctorals