|
|
|||||||||||||||
|
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español | |||||||||
| Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Multidomain ferroelectricity as a limiting factor for voltage amplification in ferroelectric field-effect transistors |
| Data: | 2010 |
| Resum: | We revise the possibility of having an amplified surface potential in ferroelectricfield-effect transistors pointed out by [S. Salahuddin and S. Datta, Nano Lett. 8, 405 (2008)]. We show that the negative-capacitance regime that allows for such amplification is actually bounded by the appearance of multidomain ferroelectricity. This imposes a severe limit to the maximum step-up of the surface potential obtainable in the device. We indicate new device design rules taking into account this scenario. |
| Drets: | Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets. |
| Llengua: | Anglès |
| Document: | Article ; recerca ; Versió publicada |
| Matèria: | Field effect transistors ; Polarization ; Ferroelectric phase transitions ; Semiconductors ; Capacitance ; Surface charge |
| Publicat a: | Applied physics letters, Vol. 97, Issue 13 (September 2010) , p. 133509/1-133509/3, ISSN 1077-3118 |
4 p, 407.4 KB |