Current-induced cleaning of graphene
Moser, Joel (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia)
Barreiro Megino, Amelia (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia)
Bachtold, Adrian (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia)
American Physical Society

Data:	2007
Resum:	A simple yet highly reproducible method to suppress contamination of graphene at low temperature inside the cryostat is presented. The method consists of applying a current of several milliamperes through the graphene device, which is here typically a few microns wide. This ultrahigh current density is shown to remove contamination adsorbed on the surface. This method is well suited for quantum electron transport studies of undoped graphene devices, and its utility is demonstrated here by measuring the anomalous quantum Hall effect.
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Graphene ; Doping ; Atomic force microscopy ; Electric currents ; Gold ; Annealing ; Nanoparticles ; Current density ; Materials properties ; Quantum ; Hall effects
Publicat a:	Applied physics letters, Vol. 91, Issue 16 (October 2007) , p. 163513/1-163513/3, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.2789673

4 p, 611.3 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats