Modification of HF-treated silicon (100) surfaces by scanning tunneling microscopy in air under imaging conditions
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Pérez Murano, Francesc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
American Physical Society

Data:	1992
Resum:	The modification of HF-etched silicon (100) surface with a scanning tunneling microscope(STM) operated in air is studied for the first time in samples subjected to the standard HF etching without the follow-up rinsing in H2O. The modifications are produced in air under normal STM imaging conditions (V t =-1. 4 V and I t =2 nA). The simultaneous acquisition of topographical, current image tunneling spectroscopy and local barrier-height images clearly shows that the nature of the modification is not only topographical but also chemical. The features produced with a resolution better than 25 nm are attributed to a tip-induced oxidation enhanced by the presence of fluorine on the surface.
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Scanning tunneling microscopy ; Silicon ; Surface oxidation ; Surface treatments ; Etching ; Nonlinear acoustics ; Scanning tunneling microscopes ; Tunneling ; Water vapor
Publicat a:	Applied physics letters, Vol. 61, Issue 4 (July 1992) , p. 462-464, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.107885

4 p, 630.0 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats