Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress
Iglesias, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics)
Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Benstetter, Guenther (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department)
Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics)
Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))

Fecha:	2011
Resumen:	The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. Electrical stress produces different degradation kinetics in the grains and GBs, with a much shorter time to breakdown in the latter, indicating that GBs facilitate dielectric breakdown in high-k gate stacks.
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Dielectric thin films ; Dielectrics ; Electric currents ; Electrical properties ; Leakage currents
Publicado en:	Applied physics letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.3637633

4 p, 1003.7 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados