New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2016
Resumen:	Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. The standard equipment used to analyse RTN has a typical time resolution of ∼2 ms which prevents evaluating fast phenomena. In this work, a new RTN measurement procedure, which increases the measurement time resolution to 2 μs, is proposed. The experimental set-up, together with the recently proposed Weighted Time Lag (W-LT) method for the analysis of RTN signals, allows obtaining a more detailed and precise information about the RTN phenomenon.
Ayudas:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2011-27292-C02-02 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Resistive switching ; Random telegraph noise ; Resolution ; Time constants ; RRAM
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2015.08.010

Post-print 17 p, 1.4 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados